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11.
钢基底上预镀中间层沉积金刚石膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用表面预镀中间层在45号钢上化学气相沉积(CVD)得到了金刚石膜。钢基底表面金刚石涂层具有许多潜在应用价值,但直接在钢上沉积生长金刚石面临长的形核期,铁原子的触媒作用和热膨胀不匹配等严重问题。文中采用钢基底表面预镀中间层的方法,阻止碳向基底中扩散,增强膜基结合和抑制SP2杂化碳的沉积。分别研究了直接在钢基底上、表面预镀铜膜和表面预镀硅膜钢基底上热丝法沉积金刚石膜的工艺特点。通过SEM、Raman谱和划痕法检验表明,钢基底表面预镀硅膜作为中间层,是一种在钢上沉积金刚石膜的有效方法。  相似文献   
12.
金刚石表面的金属化   总被引:3,自引:0,他引:3  
用真空蒸镀法在金刚石镀覆Ti层,并经扩散处理使金刚石表面形成TiC膜,实现了金刚石表面的金属化,X射线衍射分析证实了TiC的存在,利用XPS定量分析验证了在金刚石表面碳原子与钛镀层之间的反应模型,经表面金属化的金刚石烧结体的力学性能测试表明,金刚石与粉末合金界面上的结合得到增强。  相似文献   
13.
负氧平衡炸药爆轰产物中未被氧化的游离碳,在反应区内高温高压的作用下可以转化为纳米级的超细金刚石,这一过程可以近似用液滴的快速聚集动力学理论来描述。本利用炸药爆温以及小粒子性质研究了超细金刚石生长过程中受到的尺寸限制条件。结果表明,超细金刚石粒子的准熔化相区域可能是影响其生长的限制条件,有关超细金刚石生长时间的估算支持上述结论。  相似文献   
14.
渗硼预处理对硬质合金金刚石涂层刀具的影响研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了渗硼预处理对硬质合金YG6刀具上金刚石涂层形核、生长和切削性能的影响.采用扫描电镜观察分析表面形貌,X-射线衍射进行物相分析,切削实验来考察刀具的切削性能.研究结果表明,渗硼预处理使硬质合金表面形成了CoB和Co2B,较好地抑制了Co对沉积金刚石的不利影响,金刚石涂层形核致密,硬质合金金刚石涂层刀具经渗硼预处理后在切削性能上略好于酸浸预处理的.  相似文献   
15.
金刚石薄膜电极处理含氯酚废水的实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以硼掺杂金刚石薄膜(BDD)为电极,采用电化学氧化的方法对含氯酚废水进行实验研究。采用循环流动的方式,结果表明:在给定不同恒电位的情况下,电流随时间变化的规律也不同;在高电位时电流密度比较大,使间接氧化增强,导致COD去除率和瞬时电流效率(ICE)增大;由于支持电解质N aC l在电解过程中产生的次氯酸盐氧化性强,因此N aC l比H2SO4对COD去除率和ICE增大更有利。采用钛基活性涂层(ACT)电极与金刚石电极的对比实验发现:由于BDD电极的弱吸附性,其处理效果明显优于ACT。  相似文献   
16.
渗硼金刚石薄膜电极用于有机废水降解的实验   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了研究渗硼金刚石薄膜电极电化学性能以及用于含有机污染物的废水处理的可行性,采用循环电解的方法,对含苯酚的废水进行了电化学氧化实验,同时与活性涂层钛阳极进行了对比实验研究,考察了阴极的可替代性,最后用两种电极对含苯胺的工业废水进行了对比实验。实验结果表明,金刚石电极不仅具有优越的电化学性能和优异的电化学指标,而且可以用于电化学废水处理;同时,用钛电极代替金刚石作阴极经济可行。  相似文献   
17.
电镀金刚石刀具钻削碳纤维复合材料磨粒磨损特征研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用电镀金刚石钻磨组合刀具钻削碳纤维复合材料能够有效地减小或消除毛刺和分层等加工缺陷,刀具的使用寿命主要取决于电镀金刚石磨粒的使用寿命.为此,对研制的刀具表面电镀金刚石磨粒的加工磨损形态进行了系统的统计观测.研究结果表明:采用电镀金刚石钻磨组合刀具钻削T300碳纤维复合材料过程中,电镀层的金刚石磨粒具有独特的初期不稳定磨损、混合磨损和正常磨损3个阶段,其磨损形态与钻削产生的轴向力具有显著的线性关系.随着钻孔数目的增加,钻磨孔的轴向力逐渐增大,但是加工出的孔径在刀具经过初期磨损后仍然能够较长时间地稳定在0.024mm误差范围内.  相似文献   
18.
为了提高金刚石刀具切削钛合金零件的表面加工质量,减轻金刚石刀具的磨损,提出一种以二氧化碳、水及植物油雾化后的雾状混合物作为冷却介质的加工技术.冷却介质经研制的油气雾化装置喷淋到切削区,达到冷却、润滑及保护金刚石刀具的目的.对比实验表明,利用油气雾化技术,二氧化碳气体能够更充分地接触加工表面,使工件加工表面中微量铁原子直...  相似文献   
19.
20.
微波等离子体CVD金刚石薄膜的显微结构   总被引:3,自引:0,他引:3  
用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对6种微波等离子体CVD金刚石薄膜的表面形貌和显微结构进行了研究,结果表明:在金刚石晶粒长大过程中,(111)面方向长大时产生密度很高的微挛晶缺陷,而(100)面方向长大时产生的晶体缺陷较少。  相似文献   
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